TSM2NB60CH C5G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Тайвань жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-251-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

3.9 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

9.4 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

44 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Тайвань жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

1.5 S

Күз уақыты:

12.4 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

9.8 ns

Зауыттық буманың саны:

1875

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

17.4 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9.1 ns

Бірлік салмағы:

0.012102 oz

Tags

TSM2NB60CH, TSM2NB60, TSM2NB, TSM2N, TSM2, TSM