SI5948DU-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerPAK-ChipFET-Dual-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

6 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

82 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

7 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.75 mm

Ұзындығы:

3 mm

Серия:

SI5

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

1.8 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

11 S

Күз уақыты:

25 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

41 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

11 ns

Tags

SI594, SI59, SI5