STW65N65DM2AG

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-247-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

650 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

60 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

50 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

25 V

Qg - қақпа заряды:

27 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

446 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

MDmesh

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

5.15 mm

Ұзындығы:

20.15 mm

Өнім:

MOSFET қуаты

Серия:

STW65N65DM2AG

Түрі:

Жоғары кернеу

Ені:

15.75 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

11.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

13.5 ns

Зауыттық буманың саны:

600

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

114 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

33 ns

Бірлік салмағы:

1.340411 oz

Tags

STW65N, STW65, STW6, STW