SSM3J117TU,LF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

UFM-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

225 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

800 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.7 mm

Ұзындығы:

2 mm

Өнім:

MOSFET

Серия:

SSM3J117

Түрі:

MOSFET қуаты

Ені:

1.7 mm

Бренд:

Toshiba

Форвард өткізгіштік - Мин:

1.6 S

Өнім түрі:

MOSFET

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Бірлік салмағы:

0.050717 oz

Tags

SSM3J117, SSM3J11, SSM3J1, SSM3J, SSM3, SSM