DMN61D8LVT-13

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSOT-26-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

630 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.1 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Qg - қақпа заряды:

740 pC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.09 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

DMN61

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

80 mS

Күз уақыты:

440 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

301 ns

Зауыттық буманың саны:

10000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

582 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

131 ns

Бірлік салмағы:

0.000459 oz

Tags

DMN61D8LV, DMN61D8, DMN61D, DMN61, DMN6, DMN