STS20N3LLH6

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOIC-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

20 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

17 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.7 W

Конфигурация:

Бойдақ

Қаптама:

Ролик

Серия:

STS20N3LLH6

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

MOSFET қуаты

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

12 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

30 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

37 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9.5 ns

Бірлік салмағы:

0.017870 oz

Tags

STS2, STS