STB12NM60N-1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-262-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

10 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

410 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

25 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

90 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Биіктігі:

8.95 mm

Ұзындығы:

10 mm

Серия:

STB12NM60

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.4 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

10 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

9 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

60 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Бірлік салмағы:

0.050717 oz

Tags

STB12NM, STB12N, STB12, STB1, STB