IPS135N03L G

IPS135N03L G
Mfr. #:
IPS135N03L G
Өндіруші:
infineon
Сипаттама:
IGBT Transistors MOSFET N-Ch 30V 30A IPAK-3 OptiMOS 3
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
IPS135N03L G Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
infineon
Өнім санаты
FETs - жалғыз
Сериялар
OptiMOS 3
Қаптама
Түтік
Бөлік бүркеншік аттар
IPS135N03LGAKMA1 SP000788220
Бірлік-салмағы
0.139332 oz
Монтаждау стилі
Тесік арқылы
Сауда атауы
OptiMOS
Пакет-қорап
IPAK-3
Технология
Си
Арналар саны
1 Channel
Конфигурация
Бойдақ
Транзистор түрі
1 N-Channel
Pd-қуат-диссипация
31 W
Максималды-жұмыс температурасы
+ 175 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 55 C
Күз уақыты
2 ns
Көтерілу уақыты
3 ns
Vgs-қақпа-көзі-кернеу
20 V
Id-үздіксіз-ағызу-ток
30 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
13.5 mOhms
Транзистор-полярлық
N-арна
Әдеттегі-өшіру-кідірту уақыты
12 ns
Әдеттегі-қосу-кешігу-уақыты
3 ns
Арна режимі
Жақсарту
Tags
IPS135N03LG, IPS135, IPS13, IPS1, IPS
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-251
***ponent Stockers USA
30 A 30 V 0.0135 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-251
***nell
MOSFET, N CH, 30A, 30V, PG-TO251-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0113ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd: 31W; Transistor Case Style: TO-251; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Current Id Max: 30A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +175°C; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vgs Max: 20V
***-Wing Technology
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 6.9A Ta 35A Tc 35A 1.92W 21.4ns
***ser
MOSFETs- Power and Small Signal NFET 30V 35A 15MOHM
***ark
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:35A; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):15mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation, Pd:32.6W ;RoHS Compliant: Yes
***emi
Power MOSFET 30V 35A 15 mOhm Single N-Channel DPAK
***Yang
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail - Rail/Tube
***r Electronics
Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
***ark
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:35A; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):13mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation, Pd:32.6W ;RoHS Compliant: Yes
***emi
Power MOSFET 25V 62A 10.5 mOhm Single N-Channel DPAK
***Yang
Trans MOSFET N-CH 25V 32A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail - Rail/Tube
***ser
MOSFETs- Power and Small Signal 25V 62A N-Channel
***r Electronics
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 25V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
***S
French Electronic Distributor since 1988
***ark
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:62A; Drain Source Voltage, Vds:25V; On Resistance, Rds(on):10.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation, Pd:58W ;RoHS Compliant: Yes
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
IPS135N03LGAKMA1
DISTI # IPS135N03LGAKMA1-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1500
Container: Tube
Limited Supply - Call
    IPS135N03L G
    DISTI # 726-IPS135N03LG
    Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 30V 30A IPAK-3 OptiMOS 3
    RoHS: Compliant
    0
      IPS135N03LGInfineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
      RoHS: Compliant
      2861
      • 1000:$0.1800
      • 100:$0.1900
      • 500:$0.1900
      • 25:$0.2000
      • 1:$0.2200
      Сурет Бөлім № Сипаттама
      IPS135N03L

      Mfr.#: IPS135N03L

      OMO.#: OMO-IPS135N03L-1190

      Жаңа және түпнұсқа
      IPS135N03LG

      Mfr.#: IPS135N03LG

      OMO.#: OMO-IPS135N03LG-1190

      Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
      IPS135N03LGAKMA1

      Mfr.#: IPS135N03LGAKMA1

      OMO.#: OMO-IPS135N03LGAKMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

      MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
      IPS135N03L G

      Mfr.#: IPS135N03L G

      OMO.#: OMO-IPS135N03L-G-126

      IGBT Transistors MOSFET N-Ch 30V 30A IPAK-3 OptiMOS 3
      Қол жетімділік
      Қор:
      Available
      Тапсырыс бойынша:
      2000
      Саны енгізіңіз:
      IPS135N03L G ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
      Анықтамалық баға (USD)
      Саны
      Тауар өлшемінің бағасы
      Қосымша. Бағасы
      1
      0,23 $
      0,23 $
      10
      0,22 $
      2,16 $
      100
      0,21 $
      20,51 $
      500
      0,19 $
      96,85 $
      1000
      0,18 $
      182,30 $
      -ден бастаңыз
      Top