TSM650P02CX RFG

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Тайвань жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-23-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4.1 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

52 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

400 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

4.5 V

Qg - қақпа заряды:

6.4 nC

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.56 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Бренд:

Тайвань жартылай өткізгіш

Күз уақыты:

11.4 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

17.4 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

40.7 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5 ns

Бірлік салмағы:

0.000282 oz

Tags

TSM650, TSM65, TSM6, TSM