ZXMD63N03XTA

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

MSOP-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

135 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

8 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

870 mW

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.95 mm

Ұзындығы:

3.1 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

ZXMD63

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Түрі:

MOSFET

Ені:

3.1 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

1.9 S

Күз уақыты:

4.1 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4.1 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

9.6 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

2.5 ns

Бірлік салмағы:

0.004938 oz

Tags

ZXMD63N03, ZXMD63N, ZXMD63, ZXMD6, ZXMD, ZXM