IRL40T209ATMA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

HSOF-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

586 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

720 uOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

269 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

500 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

380 S

Күз уақыты:

160 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

230 ns

Зауыттық буманың саны:

2000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

190 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

60 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001648026

Tags

IRL40, IRL4, IRL