RN1130MFV(TPL3)

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - алдын ала ығыстырылған

RoHS:

N

Конфигурация:

Бойдақ

Транзистордың полярлығы:

NPN

Әдеттегі кіріс резисторы:

100 kOhms

Типтік резистор коэффициенті:

1

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

VESM-3

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

100

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

50 V

Үздіксіз коллекторлық ток:

100 mA

Ең жоғары тұрақты ток коллекторы:

100 mA

Pd - қуаттың шығыны:

150 mW

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Серия:

RN1130MFV

Қаптама:

Ролик

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

50 V

Тұрақты ток күші hFE макс:

100

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

10 V

Биіктігі:

0.5 mm

Ұзындығы:

1.2 mm

Жұмыс температурасының диапазоны:

- 65 C to + 150 C

Түрі:

NPN эпитаксиалды кремний транзисторы

Ені:

0.8 mm

Бренд:

Toshiba

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар - Алдын ала берілген

Зауыттық буманың саны:

8000

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

RN1130MFV(T, RN1130M, RN1130, RN113, RN11, RN1