OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба

IXFK88N30P

IXFK88N30P
Mfr. #:
IXFK88N30P
Өндіруші:
Littelfuse
Сипаттама:
MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
IXFK88N30P Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFK88N30P DatasheetIXFK88N30P Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
IXFK88N30P Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
IXYS
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
Си
Орнату стилі:
Тесік арқылы
Пакет/қорап:
TO-264-3
Арналар саны:
1 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
300 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
88 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
40 mOhms
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
5 V
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
20 V
Qg - қақпа заряды:
180 nC
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Pd - қуаттың шығыны:
600 W
Конфигурация:
Бойдақ
Арна режимі:
Жақсарту
Сауда атауы:
HiPerFET
Қаптама:
Түтік
Биіктігі:
26.16 mm
Ұзындығы:
19.96 mm
Серия:
IXFK88N30
Транзистор түрі:
1 N-Channel
Түрі:
Polar HiPerFET Power MOSFET
Ені:
5.13 mm
Бренд:
IXYS
Форвард өткізгіштік - Мин:
40 S
Күз уақыты:
25 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
24 ns
Зауыттық буманың саны:
25
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
96 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
25 ns
Бірлік салмағы:
0.352740 oz
Tags
IXFK8, IXFK, IXF
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Single N-Channel 300 V 600 W 180 nC Through Hole Power Mosfet - TO-264
***ical
Trans MOSFET N-CH 300V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-264
***i-Key
MOSFET N-CH 300V 88A TO-264
***ark
Mosfet, N, To-264; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:88A; Drain Source Voltage Vds:300V; On Resistance Rds(On):0.04Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power Dissipation Pd:600W; Msl:-Rohs Compliant: Yes
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. MOSFET, N, TO-264; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:88A; Drain Source Voltage Vds:300V; On Resistance Rds(on):0.04ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power Dissipation Pd:600W; Transistor Case Style:TO-264; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (12-Jan-2017); Capacitance Ciss Typ:6300pF; Current Id Max:88A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.21°C/W; N-channel Gate Charge:180nC; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Reverse Recovery Time trr Max:200ns; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:300V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
***nell
MOSFET, N, TO-264; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:88A; Tensione Drain Source Vds:300V; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.04ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:5V; Dissipazione di Potenza Pd:600W; Modello Case Transistor:TO-264; No. di Pin:3Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (12-Jan-2017); Capacità Ciss Tipica:6300pF; Carica Gate Canale N:180nC; Corrente Id Max:88A; Intervallo Temperatura di Esercizio:Da -55°C a +150°C; Resistenza Termica A da Giunzione a Case:0.21°C/W; Temperatura di Esercizio Min:-55°C; Tempo di Recupero Inverso trr Max:200ns; Tensione Vds Tipica:300V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs di Misurazione Rds on:10V; Tipo di Terminazione:Foro Passante
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
IXFK88N30P
DISTI # V36:1790_15876960		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 300V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
RoHS: Compliant		0
  • 25000:$5.5910
  • 12500:$5.5980
  • 2500:$6.7680
  • 250:$9.3720
  • 25:$9.8400
IXFK88N30P
DISTI # IXFK88N30P-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 300V 88A TO-264
RoHS: Compliant
Min Qty: 25
Container: Box		Temporarily Out of Stock
  • 25:$9.8400
IXFK88N30P
DISTI # 58M7616		IXYS CorporationMOSFET, N, TO-264,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:88A,Drain Source Voltage Vds:300V,On Resistance Rds(on):0.04ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:5V,Power Dissipation Pd:600W,MSL:-RoHS Compliant: Yes11
    IXFK88N30P
    DISTI # 747-IXFK88N30P    		IXYS CorporationMOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
    RoHS: Compliant    		0
    • 1:$13.7900
    • 10:$12.4200
    • 25:$10.3300
    • 50:$9.6000
    • 100:$9.3900
    • 250:$8.5700
    • 500:$7.8100
    • 1000:$7.4500
    IXFK88N30P
    DISTI # 1427317    		IXYS CorporationMOSFET, N, TO-264
    RoHS: Compliant    		11
    • 25:$15.5700
    • 10:$18.7200
    • 1:$20.7800
    IXFK88N30P
    DISTI # 1427317    		IXYS CorporationMOSFET, N, TO-26411
    • 100:£7.1600
    • 50:£7.3200
    • 10:£7.7500
    • 5:£10.5200
    • 1:£10.9900
    Сурет Бөлім № Сипаттама
    IXFK80N60P3

    Mfr.#: IXFK80N60P3

    OMO.#: OMO-IXFK80N60P3

    		 MOSFET 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
    IXFK80N50P

    Mfr.#: IXFK80N50P

    OMO.#: OMO-IXFK80N50P

    		 MOSFET 500V 80A
    IXFK80N15Q

    Mfr.#: IXFK80N15Q

    OMO.#: OMO-IXFK80N15Q

    		 MOSFET 80 Amps 150V 0.0225 Rds
    IXFK80N200Q

    Mfr.#: IXFK80N200Q

    OMO.#: OMO-IXFK80N200Q-1190

    		 Жаңа және түпнұсқа
    IXFK80N20S

    Mfr.#: IXFK80N20S

    OMO.#: OMO-IXFK80N20S-1190

    		 Жаңа және түпнұсқа
    IXFK80N50

    Mfr.#: IXFK80N50

    OMO.#: OMO-IXFK80N50-1190

    		 Жаңа және түпнұсқа
    IXFK88N30P

    Mfr.#: IXFK88N30P

    OMO.#: OMO-IXFK88N30P-IXYS-CORPORATION

    		 MOSFET N-CH 300V 88A TO-264
    IXFK80N50Q3

    Mfr.#: IXFK80N50Q3

    OMO.#: OMO-IXFK80N50Q3-IXYS-CORPORATION

    		 MOSFET N-CH 500V 80A TO-264
    IXFK80N15Q

    Mfr.#: IXFK80N15Q

    OMO.#: OMO-IXFK80N15Q-IXYS-CORPORATION

    		 MOSFET 80 Amps 150V 0.0225 Rds
    IXFK80N50P

    Mfr.#: IXFK80N50P

    OMO.#: OMO-IXFK80N50P-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT Transistors MOSFET 500V 80A
    Қол жетімділік
    Қор:
    Available
    Тапсырыс бойынша:
    3000
    Саны енгізіңіз:
    IXFK88N30P ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
    Анықтамалық баға (USD)
    Саны
    Тауар өлшемінің бағасы
    Қосымша. Бағасы
    1
    13,79 $
    13,79 $
    10
    12,42 $
    124,20 $
    25
    10,33 $
    258,25 $
    50
    9,60 $
    480,00 $
    100
    9,39 $
    939,00 $
    250
    8,57 $
    2 142,50 $
    500
    7,81 $
    3 905,00 $
    1000
    7,45 $
    7 450,00 $
    -ден бастаңыз
    Ең жаңа өнімдер
    More Newest Products
    Top