2N3467L

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

N

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-5-3

Транзистордың полярлығы:

PNP

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

40 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

40 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

5 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

350 mV

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

1 A

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Тұрақты ток күші hFE макс:

120 at 500 mA, 1 VDC

Қаптама:

Жаппай

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

40 at 500 mA, 1 VDC

Pd - қуаттың шығыны:

1 W

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

2N3467L, 2N3467, 2N346, 2N34, 2N3