IXTA06N120P

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263AA-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1.2 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

600 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

34 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

13.3 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

42 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

4.5 mm

Ұзындығы:

9.9 mm

Серия:

IXTA06N120

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

9.2 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

0.28 S

Күз уақыты:

34 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

37 ns

Зауыттық буманың саны:

30

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

35 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

19 ns

Бірлік салмағы:

0.081130 oz

Tags

IXTA06, IXTA0, IXTA, IXT