TK10J80E,S1E

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-3PN-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

800 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

10 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

700 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

46 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

250 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Биіктігі:

20 mm

Ұзындығы:

15.5 mm

Серия:

TK10J80E

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.5 mm

Бренд:

Toshiba

Күз уақыты:

35 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

40 ns

Зауыттық буманың саны:

25

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

140 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

80 ns

Бірлік салмағы:

0.245577 oz

Tags

TK10J, TK10, TK1