OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба

IXFN60N80P

IXFN60N80P
Mfr. #:
IXFN60N80P
Өндіруші:
Littelfuse
Сипаттама:
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
IXFN60N80P Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
IXFN60N80P Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
IXYS
Өнім санаты
Модуль
Сериялар
PolarHV
Қаптама
Түтік
Бірлік-салмағы
1.340411 oz
Монтаждау стилі
SMD/SMT
Сауда атауы
HyperFET
Пакет-қорап
SOT-227-4, miniBLOC
Технология
Си
Жұмыс температурасы
-55°C ~ 150°C (TJ)
Монтаждау түрі
Шасси бекіткіші
Арналар саны
1 Channel
Жабдықтаушы-құрылғы-пакет
SOT-227B
Конфигурация
Бір қос көз
FET түрі
MOSFET N-арнасы, металл оксиді
Қуат – Макс
1040W
Транзистор түрі
1 N-Channel
Ағызу-көзге-кернеу-Vdss
800V
Кіріс-сыйымдылық-Ciss-Vds
18000pF @ 25V
FET мүмкіндігі
Стандартты
Ағымдағы-Үздіксіз-ағызу-Id-25°C
53A
Rds-On-Max-Id-Vgs
140 mOhm @ 30A, 10V
Vgs-th-Max-Id
5V @ 8mA
Gate-Charge-Qg-Vgs
250nC @ 10V
Pd-қуат-диссипация
1040 W
Максималды-жұмыс температурасы
+ 150 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 55 C
Күз уақыты
26 ns
Көтерілу уақыты
29 ns
Vgs-қақпа-көзі-кернеу
30 V
Id-үздіксіз-ағызу-ток
53 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
800 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
140 mOhms
Транзистор-полярлық
N-арна
Әдеттегі-өшіру-кідірту уақыты
110 ns
Әдеттегі-қосу-кешігу-уақыты
36 ns
Арна режимі
Жақсарту
Tags
IXFN60, IXFN6, IXFN, IXF
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***p One Stop Global
Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
***ukat
N-Ch 800V 53A 1040W 0,14R SOT227B
***ark
Mosfet, N Channel, 800V, 53A, Sot-227B; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:53A; On Resistance Rds(On):0.14Ohm; Transistor Mounting:module; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Msl:- Rohs Compliant: Yes
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
HiPerFET™ Power MOSFETs
IXYS  Polar HT™/HV™ HiPerFET™ Power MOSFETs from IXYS are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
IXFN60N80P
DISTI # V79:2366_19815502		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
RoHS: Compliant		3
  • 500:$18.7000
  • 250:$19.5200
  • 100:$21.4800
  • 25:$23.3400
  • 10:$25.6400
  • 1:$27.9600
IXFN60N80P
DISTI # V36:1790_15877430		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
RoHS: Compliant		0
  • 5000:$16.3700
  • 1000:$18.0100
  • 100:$21.8300
  • 10:$22.5300
IXFN60N80P
DISTI # IXFN60N80P-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		161In Stock
  • 500:$19.3890
  • 100:$22.1990
  • 30:$23.8850
  • 10:$25.9930
  • 1:$28.1000
IXFN60N80P
DISTI # 26703217		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
RoHS: Compliant		3
  • 1:$27.9600
IXFN60N80P
DISTI # 58M7624		IXYS CorporationMOSFET, N CHANNEL, 800V, 53A, SOT-227B,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:53A,Drain Source Voltage Vds:800V,On Resistance Rds(on):0.14ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:5V,MSL:- RoHS Compliant: Yes10
  • 1:$15.2400
  • 5:$15.2400
  • 10:$15.2400
  • 25:$15.2400
  • 50:$15.2400
  • 100:$15.2400
  • 250:$15.2400
IXFN60N80P
DISTI # 747-IXFN60N80P		IXYS CorporationMOSFET DIODE Id54 BVdass800
RoHS: Compliant		99
  • 1:$28.1000
  • 5:$26.7000
  • 10:$25.9900
  • 25:$23.8800
  • 50:$22.8700
  • 100:$22.1900
  • 200:$20.3700
IXFN60N80PIXYS Corporation53 A, 800 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET76
  • 64:$15.1560
  • 31:$15.7875
  • 1:$16.4190
IXFN60N80P
DISTI # 194350		IXYS CorporationMOSFET N-CHANNEL 800V 53A SOT227B, EA558
  • 20:£16.5400
  • 10:£16.8800
  • 5:£17.4900
  • 2:£18.3100
  • 1:£20.3400
IXFN60N80PIXYS Corporation 300
    IXFN60N80P
    DISTI # IXFN60N80P    		IXYS CorporationModule,single transistor,800V,53A,SOT227B,Ugs: ±30V,screw8
    • 10:$23.0900
    • 3:$26.2400
    • 1:$29.0500
    IXFN60N80P
    DISTI # IXFN60N80P    		IXYS CorporationN-Ch 800V 53A 1040W 0,14R SOT227B
    RoHS: Compliant    		48
    • 1:€22.2000
    • 5:€19.2000
    • 10:€18.2000
    • 25:€17.5500
    IXFN60N80P
    DISTI # 1427326    		IXYS CorporationMOSFET, N, SOT-227B168
    • 100:£16.3400
    • 50:£18.6900
    • 10:£19.1600
    • 5:£21.8200
    • 1:£22.5300
    IXFN60N80P
    DISTI # 1427326    		IXYS CorporationMOSFET, N, SOT-227B
    RoHS: Compliant    		171
    • 100:$33.4600
    • 30:$36.0000
    • 10:$39.1800
    • 1:$42.3500
    Сурет Бөлім № Сипаттама
    IXFN64N50PD2

    Mfr.#: IXFN64N50PD2

    OMO.#: OMO-IXFN64N50PD2

    		 Discrete Semiconductor Modules 64 Amps 500V
    IXFN60N80P

    Mfr.#: IXFN60N80P

    OMO.#: OMO-IXFN60N80P

    		 MOSFET DIODE Id54 BVdass800
    IXFN64N50P

    Mfr.#: IXFN64N50P

    OMO.#: OMO-IXFN64N50P

    		 MOSFET 500V 64A
    IXFN64N60P

    Mfr.#: IXFN64N60P

    OMO.#: OMO-IXFN64N60P

    		 MOSFET 600V 64A
    IXFN60N120

    Mfr.#: IXFN60N120

    OMO.#: OMO-IXFN60N120-1190

    		 Жаңа және түпнұсқа
    IXFN61N50

    Mfr.#: IXFN61N50

    OMO.#: OMO-IXFN61N50-1190

    		 Жаңа және түпнұсқа
    IXFN62N80Q3

    Mfr.#: IXFN62N80Q3

    OMO.#: OMO-IXFN62N80Q3-IXYS-CORPORATION

    		 MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227
    IXFN64N50P

    Mfr.#: IXFN64N50P

    OMO.#: OMO-IXFN64N50P-IXYS-CORPORATION

    		 MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227
    IXFN64N60P

    Mfr.#: IXFN64N60P

    OMO.#: OMO-IXFN64N60P-IXYS-CORPORATION

    		 MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
    IXFN64N50PD2

    Mfr.#: IXFN64N50PD2

    OMO.#: OMO-IXFN64N50PD2-IXYS-CORPORATION

    		 Discrete Semiconductor Modules 64 Amps 500V
    Қол жетімділік
    Қор:
    Available
    Тапсырыс бойынша:
    3000
    Саны енгізіңіз:
    IXFN60N80P ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
    Анықтамалық баға (USD)
    Саны
    Тауар өлшемінің бағасы
    Қосымша. Бағасы
    1
    0,00 $
    0,00 $
    10
    0,00 $
    0,00 $
    100
    0,00 $
    0,00 $
    500
    0,00 $
    0,00 $
    1000
    0,00 $
    0,00 $
    -ден бастаңыз
    Ең жаңа өнімдер
    More Newest Products
    Top