OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Сәлем, жүйеге кіріңізМенің аккаунтым
0 Арба

FS45MR12W1M1B11BOMA1

FS45MR12W1M1B11BOMA1
Mfr. #:
FS45MR12W1M1B11BOMA1
Өндіруші:
Infineon Technologies
Сипаттама:
Discrete Semiconductor Modules
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
FS45MR12W1M1B11BOMA1 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
FS45MR12W1M1B11BOMA1 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Infineon
Өнім санаты:
Дискретті жартылай өткізгіш модульдер
RoHS:
Y
Өнім:
Power MOSFET модульдері
Түрі:
EasyPACK модулі
Vf - алға кернеу:
4.6 V
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
- 10 V, 20 V
Орнату стилі:
Бұрандалы бекіту
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 40 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Қаптама:
Науа
Конфигурация:
Hex
Бренд:
Infineon Technologies
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Күз уақыты:
16.4 ns
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
25 A
Pd - қуаттың шығыны:
20 mW
Өнім түрі:
Дискретті жартылай өткізгіш модульдер
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
45 mOhms
Көтеру уақыты:
6.3 ns
Зауыттық буманың саны:
24
Ішкі санат:
Дискретті жартылай өткізгіш модульдер
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
35.2 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
8.2 ns
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
1200 V
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
3.45 V
Бөлім # Бүркеншік аттар:
SP001686600
Tags
FS45, FS4
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
1200V CoolSiC™ Modules
Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Modules are Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules that offer good levels of efficiency and system flexibility. These modules come with Near Threshold Circuits (NTC) and PressFIT contact technology. The CoolSiC modules feature high current density, best in class switching and conduction losses, and low inductive design. These modules provide high-frequency operation, increased power density, and optimized development cycle time and cost.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
FS45MR12W1M1B11BOMA1
DISTI # V99:2348_21383680		Infineon Technologies AGCool SiC Trench MOSFET0
  • 24:$113.1000
FS45MR12W1M1B11BOMA1
DISTI # V36:1790_21383680		Infineon Technologies AGCool SiC Trench MOSFET0
  • 24:$105.2100
FS45MR12W1M1B11BOMA1
DISTI # FS45MR12W1M1B11BOMA1-ND		Infineon Technologies AGMOSFET MODULE 1200V 50A
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray		5In Stock
  • 24:$127.3512
  • 1:$133.6700
FS45MR12W1M1B11BOMA1
DISTI # FS45MR12W1M1B11BOMA1		Infineon Technologies AGTrans MOSFET Array Six N-CH 1200V 45mOhm Easy1B - Trays (Alt: FS45MR12W1M1B11BOMA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 24
Container: Tray		Americas - 0
  • 240:$108.7900
  • 144:$111.4900
  • 96:$114.2900
  • 48:$117.1900
  • 24:$118.7900
FS45MR12W1M1B11BOMA1
DISTI # 93AC7024		Infineon Technologies AGMOSFET MODULE, N-CH, 1.2KV, 25A,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:25A,Drain Source Voltage Vds:1.2kV,On Resistance Rds(on):0.045ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:-,Threshold Voltage Vgs:4.5V,Power RoHS Compliant: Yes72
  • 25:$127.7100
  • 10:$130.4500
  • 5:$136.8300
  • 1:$139.5700
FS45MR12W1M1B11BOMA1
DISTI # 726-FS45MR12W1M1B11B		Infineon Technologies AGDiscrete Semiconductor Modules
RoHS: Compliant		22
  • 1:$138.1900
  • 5:$135.4800
  • 10:$129.1600
  • 25:$126.4500
FS45MR12W1M1B11BOMA1
DISTI # 2986380		Infineon Technologies AGMOSFET MODULE, N-CH, 1.2KV, 25A52
  • 10:£87.0800
  • 5:£97.8500
  • 1:£99.7500
FS45MR12W1M1B11BOMA1
DISTI # 2986380		Infineon Technologies AGMOSFET MODULE, N-CH, 1.2KV, 25A
RoHS: Compliant		54
  • 1:$184.4700
Сурет Бөлім № Сипаттама
FF8MR12W2M1B11BOMA1

Mfr.#: FF8MR12W2M1B11BOMA1

OMO.#: OMO-FF8MR12W2M1B11BOMA1

 Discrete Semiconductor Modules EasyDUAL 2B 1200 V, 8 mO halfbridge module with CoolSiC MOSFET, NTC and PressFIT Contact Technology.
IKY40N120CH3XKSA1

Mfr.#: IKY40N120CH3XKSA1

OMO.#: OMO-IKY40N120CH3XKSA1

 IGBT Transistors
SCT3080ALGC11

Mfr.#: SCT3080ALGC11

OMO.#: OMO-SCT3080ALGC11

 MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
SCT3080KLGC11

Mfr.#: SCT3080KLGC11

OMO.#: OMO-SCT3080KLGC11

 MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
BBB01-SC-505

Mfr.#: BBB01-SC-505

OMO.#: OMO-BBB01-SC-505

 Single Board Computers Beaglebone Black Rev C
SCT3080KLGC11

Mfr.#: SCT3080KLGC11

OMO.#: OMO-SCT3080KLGC11-ROHM-SEMI

 MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N
SCT3040KLGC11

Mfr.#: SCT3040KLGC11

OMO.#: OMO-SCT3040KLGC11-ROHM-SEMI

 MOSFET NCH 1.2KV 55A TO247N
SCT3080ALGC11

Mfr.#: SCT3080ALGC11

OMO.#: OMO-SCT3080ALGC11-ROHM-SEMI

 MOSFET N-CH 650V 30A TO247
IKY40N120CH3XKSA1

Mfr.#: IKY40N120CH3XKSA1

OMO.#: OMO-IKY40N120CH3XKSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

 IGBT 1200V 80A TO247-4
BBB01-SC-505

Mfr.#: BBB01-SC-505

OMO.#: OMO-BBB01-SC-505-GHI-ELECTRONICS

 Beagle Bone Black
Қол жетімділік
Қор:
46
Тапсырыс бойынша:
2029
Саны енгізіңіз:
FS45MR12W1M1B11BOMA1 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
138,19 $
138,19 $
5
135,48 $
677,40 $
10
129,16 $
1 291,60 $
25
126,45 $
3 161,25 $
2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
-ден бастаңыз
Ең жаңа өнімдер
More Newest Products
Top