IRG7PH35UDPBF

IRG7PH35UDPBF
Mfr. #:
IRG7PH35UDPBF
Өндіруші:
Infineon Technologies
Сипаттама:
IGBT Transistors 1200V Trench IGBT Inductn Cooking 50A
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
IRG7PH35UDPBF Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IRG7PH35UDPBF DatasheetIRG7PH35UDPBF Datasheet (P4-P6)IRG7PH35UDPBF Datasheet (P7-P9)IRG7PH35UDPBF Datasheet (P10-P11)
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
IRG7PH35UDPBF Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Infineon
Өнім санаты:
IGBT транзисторлары
RoHS:
Y
Технология:
Си
Пакет/қорап:
TO-247-3
Орнату стилі:
Тесік арқылы
Конфигурация:
Бойдақ
Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:
1.2 kV
Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:
1.9 V
Шықпа эмитентінің максималды кернеуі:
30 V
Үздіксіз коллектор тогы 25 С:
50 A
Pd - қуаттың шығыны:
180 W
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Қаптама:
Түтік
Үздіксіз коллектор ток Ic макс:
50 A
Бренд:
Infineon Technologies
Шлюз-эмиттер ағып кету тогы:
100 nA
Өнім түрі:
IGBT транзисторлары
Зауыттық буманың саны:
400
Ішкі санат:
IGBT
Бөлім # Бүркеншік аттар:
SP001537540
Бірлік салмағы:
1.340411 oz
Tags
IRG7PH35UD, IRG7PH35, IRG7PH3, IRG7PH, IRG7P, IRG7, IRG
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
300-1200V IGBTs
Infineon Rectifier has an extensive portfolio of IGBTs that ranges from 300V to 1200V and achieves the highest performance for specific application requirements. The Infineon IGBT portfolio includes the new ultra-fast IRG7PH 1200V Trench IGBTs that offer higher system efficiency while cutting switching losses and delivering higher switching frequencies. International Infineon IRG7PH ultra-fast 1200V IGBTs utilize thin wafer Field-Stop Trench technology that significantly reduces switching and conduction losses to deliver higher power density and greater efficiency at higher frequencies.Learn More
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
IRG7PH35UDPBF
DISTI # 30155874
Infineon Technologies AGTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
RoHS: Compliant
238
  • 100:$5.4240
  • 25:$6.2400
  • 10:$6.5472
  • 3:$7.2384
IRG7PH35UDPBF
DISTI # IRG7PH35UDPBF-ND
Infineon Technologies AGIGBT 1200V 50A 180W TO247AC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
340In Stock
  • 1000:$4.4931
  • 500:$5.1587
  • 100:$5.9242
  • 25:$6.8228
  • 1:$7.9200
IRG7PH35UDPBF
DISTI # C1S322000499276
Infineon Technologies AGTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
RoHS: Compliant
238
  • 200:$4.8900
  • 100:$5.9100
  • 50:$6.3900
  • 25:$6.9600
  • 10:$7.1200
  • 1:$10.4000
IRG7PH35UDPBF
DISTI # IRG7PH35UDPBF
Infineon Technologies AGTrans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC (Alt: IRG7PH35UDPBF)
RoHS: Compliant
Min Qty: 400
Asia - 400
  • 400:$4.6428
  • 800:$4.4520
  • 1200:$4.3919
  • 2000:$4.2207
  • 4000:$4.1666
  • 10000:$4.0625
  • 20000:$3.9634
IRG7PH35UDPBF
DISTI # IRG7PH35UDPBF
Infineon Technologies AGTrans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Rail/Tube (Alt: IRG7PH35UDPBF)
RoHS: Compliant
Min Qty: 100
Container: Tube
Americas - 0
  • 100:$4.4900
  • 150:$4.3900
  • 250:$4.1900
  • 500:$4.0900
  • 1000:$3.9900
IRG7PH35UDPBF
DISTI # 942-IRG7PH35UDPBF
Infineon Technologies AGIGBT Transistors 1200V Trench IGBT Inductn Cooking 50A
RoHS: Compliant
127
  • 1:$7.5400
  • 10:$6.8200
  • 25:$6.5000
  • 100:$5.6500
IRG7PH35UDPBFInfineon Technologies AGInsulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC
RoHS: Compliant
25
  • 1000:$3.7900
  • 500:$3.9900
  • 100:$4.1500
  • 25:$4.3300
  • 1:$4.6600
IRG7PH35UDPBFInternational RectifierInsulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC
RoHS: Compliant
19
  • 1000:$3.7900
  • 500:$3.9900
  • 100:$4.1500
  • 25:$4.3300
  • 1:$4.6600
IRG7PH35UDPBFInternational Rectifier 
RoHS: Compliant
Europe - 995
    IRG7PH35UDPBF
    DISTI # 1857366
    Infineon Technologies AGIGBT,N CH,DIODE,1200V,50A,TO-247AC
    RoHS: Compliant
    0
    • 1:$11.9300
    • 10:$10.8000
    • 25:$10.3000
    • 100:$8.9400
    Сурет Бөлім № Сипаттама
    2SA1213-Y-TP

    Mfr.#: 2SA1213-Y-TP

    OMO.#: OMO-2SA1213-Y-TP

    Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Plastic-Encapsulate
    2SA1213-Y-TP

    Mfr.#: 2SA1213-Y-TP

    OMO.#: OMO-2SA1213-Y-TP-MICRO-COMMERCIAL-COMPONENTS

    Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Plastic-Encapsulate
    Қол жетімділік
    Қор:
    127
    Тапсырыс бойынша:
    2110
    Саны енгізіңіз:
    IRG7PH35UDPBF ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
    Анықтамалық баға (USD)
    Саны
    Тауар өлшемінің бағасы
    Қосымша. Бағасы
    1
    7,54 $
    7,54 $
    10
    6,81 $
    68,10 $
    25
    6,49 $
    162,25 $
    100
    5,64 $
    564,00 $
    250
    5,38 $
    1 345,00 $
    500
    4,91 $
    2 455,00 $
    1000
    4,28 $
    4 280,00 $
    2500
    4,12 $
    10 300,00 $
    -ден бастаңыз
    Ең жаңа өнімдер
    Top