UT6J3TCR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

HUML2020L-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

60 mOhms, 60 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

8.5 nC, 8.5 nC

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

2 P-Channel

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

4 S, 4 S

Күз уақыты:

35 ns, 35 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

30 ns, 30 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

120 ns, 120 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

10 ns, 10 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

UT6J3

Tags

UT6J3, UT6J, UT6