IXTA340N04T4

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

340 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

15 V

Qg - қақпа заряды:

256 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

480 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

HiPerFET

Қаптама:

Түтік

Серия:

650V Ultra Junction X2

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

115 S

Күз уақыты:

40 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

55 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

113 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

23 ns

Бірлік салмағы:

0.077603 oz

Tags

IXTA34, IXTA3, IXTA, IXT