SSM3J353F,LF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-346-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

125 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

3.4 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

2.9 mm

Серия:

SSM3

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

1.5 mm

Бренд:

Toshiba

Өнім түрі:

MOSFET

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

34 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

30 ns

Tags

SSM3J35, SSM3J3, SSM3J, SSM3, SSM