NE662M04-T2-A

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

CEL

Өнім санаты:

Радиожиілік биполярлы транзисторлар

RoHS:

Y

Транзистор түрі:

Биполярлық

Технология:

Си

Транзистордың полярлығы:

NPN

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

3.3 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

1.5 V

Үздіксіз коллекторлық ток:

35 mA

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Конфигурация:

Бойдақ

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

MiniMold-Flat-4

Қаптама:

Ролик

Тұрақты ток күші hFE макс:

100

Биіктігі:

0.59 mm

Ұзындығы:

2 mm

Жұмыс жиілігі:

2 GHz

Түрі:

РЖ биполярлық шағын сигнал

Ені:

1.25 mm

Бренд:

CEL

Өткізу қабілеттілігін арттыру өнімі fT:

25 GHz

Pd - қуаттың шығыны:

115 W

Өнім түрі:

Радиожиілік биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

Транзисторлар

Бөлім # Бүркеншік аттар:

2SC5508-T2-A

Tags

NE662M04-T2-A, NE662M04-T2, NE662M04-T, NE662M04, NE662M0, NE662M, NE662, NE66, NE6