DMN33D8LDW-7

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-363-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

250 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.4 Ohms, 2.4 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

800 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

1.23 nC, 1.23 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

350 mW

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

DMN33

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

13.6 ns, 13.6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

2.6 ns, 2.6 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

18.2 ns, 18.2 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

2.9 ns, 2.9 ns

Бірлік салмағы:

0.000265 oz

Tags

DMN33D, DMN33, DMN3, DMN