FDD8586

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

E

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

35 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

77 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

2.39 mm

Ұзындығы:

6.73 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

MOSFET

Ені:

6.22 mm

Бренд:

ON Semiconductor / Fairchild

Форвард өткізгіштік - Мин:

175 S

Күз уақыты:

25 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

11 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

47 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns

Бірлік салмағы:

0.000557 oz

Tags

FDD85, FDD8, FDD