DMP56D0UFB-7B

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

X1-DFN1006-3

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

50 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

200 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

6 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

580 pC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

425 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

DMP56

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

100 mS

Күз уақыты:

15 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

6.63 ns

Зауыттық буманың саны:

10000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

21.9 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4.46 ns

Tags

DMP56D0UF, DMP56, DMP5, DMP