OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Сәлем, жүйеге кіріңізМенің аккаунтым
0 Арба

SPD02N50C3

SPD02N50C3
Mfr. #:
SPD02N50C3
Өндіруші:
Infineon Technologies
Сипаттама:
IGBT Transistors MOSFET N-Ch 500V 1.8A DPAK-2 CoolMOS C3
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SPD02N50C3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
INFINEON
Өнім санаты
FETs - жалғыз
Сериялар
CoolMOS C3
Қаптама
Ролик
Бөлік бүркеншік аттар
SP000313942 SPD02N50C3BTMA1 SPD02N50C3XT
Бірлік-салмағы
0.139332 oz
Монтаждау стилі
SMD/SMT
Сауда атауы
CoolMOS
Пакет-қорап
TO-252-3
Технология
Си
Арналар саны
1 Channel
Конфигурация
Бойдақ
Транзистор түрі
1 N-Channel
Pd-қуат-диссипация
25 W
Максималды-жұмыс температурасы
+ 150 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 55 C
Күз уақыты
15 ns
Көтерілу уақыты
5 ns
Vgs-қақпа-көзі-кернеу
20 V
Id-үздіксіз-ағызу-ток
1.8 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
500 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
3 Ohms
Транзистор-полярлық
N-арна
Әдеттегі-өшіру-кідірту уақыты
70 ns
Әдеттегі-қосу-кешігу-уақыты
10 ns
Арна режимі
Жақсарту
Tags
SPD02N5, SPD02N, SPD02, SPD0, SPD
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
N-Channel 560 V 3 Ohm Cool MOS™ Power Transistor - PG-TO252-3
***ical
Trans MOSFET N-CH 500V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
***p One Stop Global
Trans MOSFET N-CH 500V 1.8A 3-Pin(2+Tab) TO-252
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 500V 1.8A 3-Pin TO-252 T/R
***ark
MOSFET, N CHANNEL, 560V, 1.8A, TO-252
***i-Key
LOW POWER_LEGACY
***ineon
Replacement for 500V CoolMOS C3 is 500V CoolMOS CE >> Click & go to 500V CoolMOS CE | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Server; Telecom; Consumer; PC power; Adapter
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. MOSFET, N, 500V, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.8A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):2.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:25W; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Current Id Max:1.8A; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pulse Current Idm:5.4A; Termination Type:Surface Mount Device; Voltage Vds:500V; Voltage Vds Typ:560V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
***nell
MOSFET, N, 500V, D-PAK; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:1.8A; Tensione Drain Source Vds:500V; Resistenza di Attivazione Rds(on):2.7ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:3V; Dissipazione di Potenza Pd:25W; Modello Case Transistor:TO-252; No. di Pin:3Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):MSL 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (27-Jun-2018); Corrente Id Max:1.8A; Corrente di Impulso Idm:5.4A; Intervallo Temperatura di Esercizio:Da -55°C a +150°C; Temperatura di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds:500V; Tensione Vds Tipica:560V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs di Misurazione Rds on:10V; Tipo di Terminazione:Dispositivo a Montaggio Superficiale
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SPD02N50C3BTMA1
DISTI # V72:2272_06384768		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 500V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
RoHS: Compliant		2200
  • 75000:$0.4733
  • 30000:$0.4735
  • 15000:$0.4764
  • 6000:$0.4829
  • 3000:$0.4864
  • 1000:$0.4950
  • 500:$0.5222
  • 250:$0.5928
  • 100:$0.6469
  • 50:$0.6936
  • 25:$0.8102
  • 10:$0.8295
  • 1:$0.9367
SPD02N50C3
DISTI # SPD02N50C3INTR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SPD02N50C3BTMA1
    DISTI # SPD02N50C3BTMA1-ND    		Infineon Technologies AGLOW POWER_LEGACY
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 2500
    Container: Tape & Reel (TR)    		Limited Supply - Call
      SPD02N50C3BTMA1
      DISTI # 27619286      		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 500V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
      RoHS: Compliant      		2200
      • 1000:$0.4950
      • 500:$0.5222
      • 250:$0.5928
      • 100:$0.6469
      • 50:$0.6936
      • 25:$0.8102
      • 16:$0.8295
      SPD02N50C3
      DISTI # 726-SPD02N50C3      		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 500V 1.8A DPAK-2 CoolMOS C3
      RoHS: Compliant      		2200
      • 1:$0.9700
      • 10:$0.8270
      • 100:$0.6350
      • 500:$0.5610
      • 1000:$0.4430
      • 2500:$0.3930
      SPD02N50C3BTMA1
      DISTI # N/A      		Infineon Technologies AGMOSFET LOW POWER_LEGACY0
        SPD02N50C3Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
        RoHS: Compliant        		69500
        • 1000:$0.3800
        • 500:$0.4000
        • 100:$0.4200
        • 25:$0.4400
        • 1:$0.4700
        SPD02N50C3BTMA1Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
        RoHS: Compliant        		160000
        • 1000:$0.3800
        • 500:$0.4000
        • 100:$0.4200
        • 25:$0.4400
        • 1:$0.4700
        SPD02N50C3
        DISTI # 1471785        		Infineon Technologies AGMOSFET, N, 500V, D-PAK
        RoHS: Compliant        		0
        • 1:$1.5400
        • 10:$1.3200
        • 100:$1.0100
        • 500:$0.8880
        • 1000:$0.7020
        • 2500:$0.6320
        SPD02N50C3
        DISTI # 1471785RL        		Infineon Technologies AGMOSFET, N, 500V, D-PAK
        RoHS: Compliant        		0
        • 1:$1.5400
        • 10:$1.3200
        • 100:$1.0100
        • 500:$0.8880
        • 1000:$0.7020
        • 2500:$0.6320
        Сурет Бөлім № Сипаттама
        SPD02N60C3BTMA1

        Mfr.#: SPD02N60C3BTMA1

        OMO.#: OMO-SPD02N60C3BTMA1

        		 MOSFET LOW POWER_LEGACY
        SPD02N50C3

        Mfr.#: SPD02N50C3

        OMO.#: OMO-SPD02N50C3-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 IGBT Transistors MOSFET N-Ch 500V 1.8A DPAK-2 CoolMOS C3
        SPD02N80C3ATMA1-CUT TAPE

        Mfr.#: SPD02N80C3ATMA1-CUT TAPE

        OMO.#: OMO-SPD02N80C3ATMA1-CUT-TAPE-1190

        		 Жаңа және түпнұсқа
        SPD02N80C3ATMA1

        Mfr.#: SPD02N80C3ATMA1

        OMO.#: OMO-SPD02N80C3ATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
        SPD02N50C3.

        Mfr.#: SPD02N50C3.

        OMO.#: OMO-SPD02N50C3--1190

        		 Жаңа және түпнұсқа
        SPD02N50C3BTMA1

        Mfr.#: SPD02N50C3BTMA1

        OMO.#: OMO-SPD02N50C3BTMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 LOW POWER_LEGACY
        SPD02N60C3_05

        Mfr.#: SPD02N60C3_05

        OMO.#: OMO-SPD02N60C3-05-1190

        		 Жаңа және түпнұсқа
        SPD02N60S5 02N60S5

        Mfr.#: SPD02N60S5 02N60S5

        OMO.#: OMO-SPD02N60S5-02N60S5-1190

        		 Жаңа және түпнұсқа
        SPD02N60S5BTMA1

        Mfr.#: SPD02N60S5BTMA1

        OMO.#: OMO-SPD02N60S5BTMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252
        SPD02N80

        Mfr.#: SPD02N80

        OMO.#: OMO-SPD02N80-1190

        		 Жаңа және түпнұсқа
        Қол жетімділік
        Қор:
        Available
        Тапсырыс бойынша:
        5500
        Саны енгізіңіз:
        SPD02N50C3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
        Анықтамалық баға (USD)
        Саны
        Тауар өлшемінің бағасы
        Қосымша. Бағасы
        1
        0,57 $
        0,57 $
        10
        0,54 $
        5,42 $
        100
        0,51 $
        51,30 $
        500
        0,48 $
        242,25 $
        1000
        0,46 $
        456,00 $
        2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
        -ден бастаңыз
        Ең жаңа өнімдер
        More Newest Products
        Top