DMG6602SVTX-7

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSOT-26-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3.4 A, 2.8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

60 mOhms, 95 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

500 mV, 1.8 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

13 nC, 9 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.12 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

4 S, 6 S

Күз уақыты:

3 ns, 13 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5 ns, 7.3 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

13 ns, 20 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3 ns, 4.8 ns

Tags

DMG6602, DMG66, DMG6, DMG