STB8NM60D

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1 Ohms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

100 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

MDmesh

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

4.6 mm

Ұзындығы:

10.4 mm

Серия:

STB8NM60D

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

9.35 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

8 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

10 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

26 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

13 ns

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

STB8NM, STB8N, STB8, STB