TK12A80W,S4X

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220SIS-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

800 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

11.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

380 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

23 nC

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

45 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

DTMOSIV

Серия:

TK12A80W

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Toshiba

Күз уақыты:

11 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

40 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

130 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

70 ns

Бірлік салмағы:

0.068784 oz

Tags

TK12A8, TK12A, TK12, TK1