2DB1132Q-13

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

Y

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-89-3

Транзистордың полярлығы:

PNP

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

- 32 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

- 40 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

- 5 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

- 125 mV

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

- 1 A

Өткізу қабілеттілігін арттыру өнімі fT:

190 MHz

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Серия:

2DB11

Биіктігі:

1.5 mm

Ұзындығы:

4.5 mm

Қаптама:

Ролик

Ені:

2.48 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

120

Pd - қуаттың шығыны:

1000 mW

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Біліктілік:

AEC-Q101

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

Транзисторлар

Бірлік салмағы:

0.001834 oz

Tags

2DB113, 2DB11, 2DB1, 2DB