SQJ504EP-T1_GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerPAK-SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

30 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

7.5 mOhms, 17 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.5 V, 2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

30 nC, 85 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

34 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

35 S, 30 S

Күз уақыты:

5 ns, 7 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4 ns, 6 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

21 ns, 45 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

11 ns, 15 ns

Tags

SQJ50, SQJ5, SQJ