SI1926DL-T1-E3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-363-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

370 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.4 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

0.9 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

510 mW

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1 mm

Ұзындығы:

2.1 mm

Серия:

SI1

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

1.25 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

159 mS

Күз уақыты:

14 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

12 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

13 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6.5 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SI1926DL-E3

Бірлік салмағы:

0.000265 oz

Tags

SI1926, SI192, SI19, SI1