DMG5802LFX-7

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

W-DFN5020-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

24 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

6.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

11 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

600 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Qg - қақпа заряды:

31.3 nC, 31.3 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

980 mW

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

DMG5802

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

22.45 ns, 22.45 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

13.43 ns, 13.43 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

32.18 ns, 32.18 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3.69 ns, 3.69 ns

Бірлік салмағы:

0.000600 oz

Tags

DMG5, DMG