SI5446DU-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerPAK-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

25 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

5.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V, - 16 V

Qg - қақпа заряды:

25.2 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

31 W

Конфигурация:

Бойдақ

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Күз уақыты:

8 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

25 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

16 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

8 ns

Бірлік салмағы:

0.017870 oz

Tags

SI544, SI54, SI5