DMT6007LFGQ-13

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerDI-3333-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

80 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

6 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

800 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

41.3 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

62.5 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

100 S

Күз уақыты:

9.7 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4.3 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

23.4 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5.7 ns

Tags

DMT6007LFG, DMT6007, DMT600, DMT60, DMT6, DMT