TSM1N45CT B0G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Тайвань жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-92-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

450 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

500 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

3.7 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

6.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Тайвань жартылай өткізгіш

Күз уақыты:

23.7 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

32.8 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

25.2 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

14.7 ns

Бірлік салмағы:

0.007654 oz

Tags

TSM1N45CT, TSM1N45C, TSM1N4, TSM1N, TSM1, TSM