IXTJ4N150

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-247-3

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1.5 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

6 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

44.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

110 W

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

21.34 mm

Ұзындығы:

6.13 mm

Серия:

IXTJ4N150

Түрі:

Жоғары вольтты қуат MOSFET

Ені:

5.21 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

2.8 S

Күз уақыты:

22 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

23 ns

Зауыттық буманың саны:

30

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

42 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

19 ns

Бірлік салмағы:

0.056438 oz

Tags

IXTJ, IXT