SI9933CDY-T1-E3

SI9933CDY-T1-E3
Mfr. #:
SI9933CDY-T1-E3
Өндіруші:
Vishay
Сипаттама:
IGBT Transistors MOSFET 20V 4.0A 3.1W 58mohm @ 4.5V
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SI9933CDY-T1-E3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SI9933CDY-T1-E3 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
Вишай Силиконикс
Өнім санаты
FETs - массивтер
Сериялар
TrenchFETR
Қаптама
Digi-ReelR балама орамасы
Бөлік бүркеншік аттар
SI9933CDY-E3
Бірлік-салмағы
0.006596 oz
Монтаждау стилі
SMD/SMT
Пакет-қорап
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология
Си
Жұмыс температурасы
-50°C ~ 150°C (TJ)
Монтаждау түрі
Беттік орнату
Арналар саны
2 Channel
Жабдықтаушы-құрылғы-пакет
8-SO
Конфигурация
Қосарлы
FET түрі
2 P-Channel (Dual)
Қуат – Макс
3.1W
Транзистор түрі
2 P-Channel
Ағызу-көзге-кернеу-Vdss
20V
Кіріс-сыйымдылық-Ciss-Vds
665pF @ 10V
FET мүмкіндігі
Логикалық деңгей қақпасы
Ағымдағы-Үздіксіз-ағызу-Id-25°C
4A
Rds-On-Max-Id-Vgs
58 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1.4V @ 250μA
Gate-Charge-Qg-Vgs
26nC @ 10V
Pd-қуат-диссипация
2 W
Максималды-жұмыс температурасы
+ 150 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 50 C
Күз уақыты
13 ns
Көтерілу уақыты
50 ns
Vgs-қақпа-көзі-кернеу
12 V
Id-үздіксіз-ағызу-ток
4 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
- 20 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
58 mOhms
Транзистор-полярлық
P-арна
Әдеттегі-өшіру-кідірту уақыты
29 ns
Әдеттегі-қосу-кешігу-уақыты
21 ns
Арна режимі
Жақсарту
Tags
SI9933CDY-T, SI9933CD, SI9933C, SI9933, SI993, SI99, SI9
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Si9933CDY Series Dual P-Channel 20 V 58 mOhm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
***et
Trans MOSFET Array Dual P-CH -20V -4A 8-Pin SOIC
***nell
MOSFET, PP CH, 20V, 8SOIC; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-4A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.048ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.4V; Power Dissipation Pd:3.1W; Operating Temperature Min:-50°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; Operating Temperature Range:-50°C to +150°C
Integrated MOSFET Solutions
Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density, increase efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SI9933CDY-T1-E3
DISTI # V72:2272_09216526
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
RoHS: Compliant
227
  • 100:$0.3264
  • 25:$0.4045
  • 10:$0.4093
  • 1:$0.4844
SI9933CDY-T1-E3
DISTI # SI9933CDY-T1-E3CT-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
3313In Stock
  • 1000:$0.2900
  • 500:$0.3626
  • 100:$0.4895
  • 10:$0.6340
  • 1:$0.7300
SI9933CDY-T1-E3
DISTI # SI9933CDY-T1-E3DKR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
3313In Stock
  • 1000:$0.2900
  • 500:$0.3626
  • 100:$0.4895
  • 10:$0.6340
  • 1:$0.7300
SI9933CDY-T1-E3
DISTI # SI9933CDY-T1-E3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
2500In Stock
  • 2500:$0.2552
SI9933CDY-T1-E3
DISTI # 25790123
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
RoHS: Compliant
227
  • 100:$0.3264
  • 31:$0.4045
SI9933CDY-T1-E3
DISTI # SI9933CDY-T1-E3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI9933CDY-T1-E3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: Reel
Americas - 0
  • 2500:$0.2319
  • 5000:$0.2249
  • 10000:$0.2159
  • 15000:$0.2099
  • 25000:$0.2049
SI9933CDY-T1-E3
DISTI # SI9933CDY-T1-E3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI9933CDY-T1-E3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape and Reel
Asia - 0
    SI9933CDY-T1-E3
    DISTI # 16P3887
    Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET Array Dual P-CH -20V -4A 8-Pin SOIC - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 16P3887)
    RoHS: Not Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Ammo Pack
    Americas - 0
    • 1:$0.6400
    • 10:$0.5110
    • 25:$0.4700
    • 50:$0.4290
    • 100:$0.3880
    • 250:$0.3540
    • 500:$0.3200
    SI9933CDY-T1-E3
    DISTI # 16P3887
    Vishay IntertechnologiesDUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, SOIC,Transistor Polarity:Dual P Channel,Continuous Drain Current Id:-4A,Drain Source Voltage Vds:-20V,On Resistance Rds(on):0.048ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:12V,Threshold Voltage Vgs:-1.4V RoHS Compliant: Yes2222
    • 1:$0.6400
    • 10:$0.5110
    • 25:$0.4700
    • 50:$0.4290
    • 100:$0.3880
    • 250:$0.3540
    • 500:$0.3200
    • 1000:$0.2560
    SI9933CDY-T1-E3
    DISTI # 781-SI9933CDY-E3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8
    RoHS: Compliant
    3592
    • 1:$0.6400
    • 10:$0.5110
    • 100:$0.3880
    • 500:$0.3200
    • 1000:$0.2560
    • 2500:$0.2320
    SI9933CDY-T1-E3
    DISTI # C1S803603830148
    Vishay IntertechnologiesMOSFETs
    RoHS: Compliant
    227
    • 100:$0.3264
    • 25:$0.4045
    • 10:$0.4093
    SI9933CDY-T1-E3
    DISTI # 2101482
    Vishay IntertechnologiesMOSFET, PP CH, 20V, 8SOIC
    RoHS: Compliant
    1894
    • 1:$1.0200
    • 10:$0.8090
    • 100:$0.6150
    • 500:$0.5070
    • 1000:$0.4250
    SI9933CDY-T1-E3
    DISTI # 2101482
    Vishay IntertechnologiesMOSFET, PP CH, 20V, 8SOIC
    RoHS: Compliant
    1840
    • 5:£0.4410
    • 25:£0.2690
    • 100:£0.2670
    • 250:£0.2550
    • 500:£0.2110
    Сурет Бөлім № Сипаттама
    SI9933CDY-T1-GE3

    Mfr.#: SI9933CDY-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI9933CDY-T1-GE3

    MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8
    SI9933CDY-T1-E3

    Mfr.#: SI9933CDY-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI9933CDY-T1-E3

    MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8
    SI9933CDY-T1-E3

    Mfr.#: SI9933CDY-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI9933CDY-T1-E3-VISHAY

    IGBT Transistors MOSFET 20V 4.0A 3.1W 58mohm @ 4.5V
    SI9933CDY-T1-GE3-CUT TAPE

    Mfr.#: SI9933CDY-T1-GE3-CUT TAPE

    OMO.#: OMO-SI9933CDY-T1-GE3-CUT-TAPE-1190

    Жаңа және түпнұсқа
    SI9933C

    Mfr.#: SI9933C

    OMO.#: OMO-SI9933C-1190

    Жаңа және түпнұсқа
    SI9933CDY

    Mfr.#: SI9933CDY

    OMO.#: OMO-SI9933CDY-1190

    Жаңа және түпнұсқа
    SI9933CDY-T1

    Mfr.#: SI9933CDY-T1

    OMO.#: OMO-SI9933CDY-T1-1190

    Жаңа және түпнұсқа
    SI9933CDY-T1-GE3

    Mfr.#: SI9933CDY-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI9933CDY-T1-GE3-VISHAY

    MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
    SI9933CY-T1

    Mfr.#: SI9933CY-T1

    OMO.#: OMO-SI9933CY-T1-1190

    Жаңа және түпнұсқа
    Қол жетімділік
    Қор:
    Available
    Тапсырыс бойынша:
    4500
    Саны енгізіңіз:
    SI9933CDY-T1-E3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
    Анықтамалық баға (USD)
    Саны
    Тауар өлшемінің бағасы
    Қосымша. Бағасы
    1
    0,31 $
    0,31 $
    10
    0,29 $
    2,92 $
    100
    0,28 $
    27,66 $
    500
    0,26 $
    130,60 $
    1000
    0,25 $
    245,90 $
    2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
    -ден бастаңыз
    Top