OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба

IXFN320N17T2

IXFN320N17T2
Mfr. #:
IXFN320N17T2
Өндіруші:
Littelfuse
Сипаттама:
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
IXFN320N17T2 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFN320N17T2 DatasheetIXFN320N17T2 Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
IXFN320N17T2 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
IXYS
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
Си
Орнату стилі:
Шасси бекіткіші
Пакет/қорап:
SOT-227-4
Арналар саны:
1 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
170 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
260 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
5.2 mOhms
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
5 V
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
20 V
Qg - қақпа заряды:
640 nC
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 175 C
Pd - қуаттың шығыны:
1.07 kW
Конфигурация:
Бойдақ
Арна режимі:
Жақсарту
Сауда атауы:
HiPerFET
Қаптама:
Түтік
Серия:
IXFN320N17
Транзистор түрі:
1 N-Channel
Түрі:
GigaMOS Trench T2 HiperFet
Бренд:
IXYS
Форвард өткізгіштік - Мин:
120 S
Күз уақыты:
230 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
170 ns
Зауыттық буманың саны:
10
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
115 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
46 ns
Бірлік салмағы:
1.058219 oz
Tags
IXFN32, IXFN3, IXFN, IXF
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
GigaMOS™ TrenchT2™ Power MOSFETs
IXYS GigaMOS™ TrenchT2™ standard and HiPerFET™ Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A (Tc=@25ºC). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These new IXYS GigaMOS Power MOSFETs incorporate IXYS TrenchT2 Technology, allowing for improved channel density while achieving lower on-state resistance and gate charge to facilitate energy-efficient switching at high speeds. These IXYS GigaMOS TrenchT2 Power MOSFETs eliminate multiple paralleled lower current rated MOSFET devices and provide the ability to control more power within a smaller footprint. These devices are designed for use in a wide range of applications, including synchronous rectification, DC-DC converter, battery charger, and switch-mode and resonant-mode power supplies.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
IXFN320N17T2
DISTI # V99:2348_15877085		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 170V 260A 4-Pin SOT-227B
RoHS: Compliant		0
  • 10000:$24.1400
  • 5000:$24.1500
  • 1000:$27.3500
  • 100:$35.5200
  • 10:$37.0600
IXFN320N17T2
DISTI # IXFN320N17T2-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 170V 260A SOT227
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 10:$34.2810
IXFN320N17T2
DISTI # 747-IXFN320N17T2		IXYS CorporationMOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
RoHS: Compliant		24
  • 1:$37.0600
  • 5:$35.2100
  • 10:$34.2800
  • 25:$31.5000
  • 50:$30.1600
  • 100:$29.2800
  • 200:$26.8700
IXFN320N17T2
DISTI # IXFN320N17T2		IXYS CorporationN-Ch 170V 260A 1070W 0,0052R SOT227B
RoHS: Compliant		9
  • 1:€30.0000
  • 5:€26.0000
  • 10:€24.0000
  • 25:€23.1000
Сурет Бөлім № Сипаттама
IXYN100N120B3H1

Mfr.#: IXYN100N120B3H1

OMO.#: OMO-IXYN100N120B3H1

 IGBT Transistors DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227UI(
CGA3E1X8L0J155K080AC

Mfr.#: CGA3E1X8L0J155K080AC

OMO.#: OMO-CGA3E1X8L0J155K080AC

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 6.3V 1.5uF 10% 0.80mm X8L AEC-Q200
SW280708-1

Mfr.#: SW280708-1

OMO.#: OMO-SW280708-1-1190

 WATERPROOF DYNAMIC SPEAKER
IXYN100N120B3H1

Mfr.#: IXYN100N120B3H1

OMO.#: OMO-IXYN100N120B3H1-IXYS-CORPORATION

 IGBT XPT 1200V 152A SOT-227B
SFR03EZPF4701

Mfr.#: SFR03EZPF4701

OMO.#: OMO-SFR03EZPF4701-ROHM-SEMI

 RES 4.7 KOHM 1% 1/10W 0603
IXFN50N120SK

Mfr.#: IXFN50N120SK

OMO.#: OMO-IXFN50N120SK-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH
CRCW120610K0FKEAC

Mfr.#: CRCW120610K0FKEAC

OMO.#: OMO-CRCW120610K0FKEAC-VISHAY-DALE

 D25/CRCW1206-C 100 10K 1% ET1
C0805C105K4RAC7210

Mfr.#: C0805C105K4RAC7210

OMO.#: OMO-C0805C105K4RAC7210-1190

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 1uF X7R 0805 10%
RP40-11024SFR/P

Mfr.#: RP40-11024SFR/P

OMO.#: OMO-RP40-11024SFR-P-RECOM-POWER

 Жаңа және түпнұсқа
Қол жетімділік
Қор:
24
Тапсырыс бойынша:
2007
Саны енгізіңіз:
IXFN320N17T2 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
37,06 $
37,06 $
5
35,21 $
176,05 $
10
34,28 $
342,80 $
25
31,50 $
787,50 $
50
30,16 $
1 508,00 $
100
29,28 $
2 928,00 $
200
26,87 $
5 374,00 $
-ден бастаңыз
Ең жаңа өнімдер
More Newest Products
Top