SI4590DY-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

5.6 A, 3.4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

57 mOhms, 183 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

11.5 nC, 36 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

3.6 W, 4.2 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Серия:

SI4

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

9 S, 9.3 S

Күз уақыты:

12 ns, 25 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

73 ns, 80 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

14 ns, 42 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

32 ns, 55 ns

Бірлік салмағы:

0.017870 oz

Tags

SI459, SI45, SI4