BLV33

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Advanced Semiconductor, Inc.

Өнім санаты:

Радиожиілік биполярлы транзисторлар

RoHS:

Y

Транзистор түрі:

Биполярлық қуат

Технология:

Си

Транзистордың полярлығы:

NPN

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

15

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

33 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

4 V

Үздіксіз коллекторлық ток:

12.5 A

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 200 C

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

SOT-147

Қаптама:

Науа

Жұмыс жиілігі:

224 MHz

Түрі:

РЖ биполярлық қуаты

Бренд:

Advanced Semiconductor, Inc.

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

20 A

Pd - қуаттың шығыны:

132 W

Өнім түрі:

Радиожиілік биполярлы транзисторлар

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

BLV3, BLV