STF13N60DM2

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220FP-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

11 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

310 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

25 V

Qg - қақпа заряды:

19 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

25 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

MDmesh

Серия:

STF13N60DM2

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

10.6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4.8 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

42.5 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

12.3 ns

Бірлік салмағы:

0.068784 oz

Tags

STF13N60, STF13N6, STF13N, STF13, STF1, STF