IXTN40P50P

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Шасси бекіткіші

Пакет/қорап:

SOT-227-4

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

500 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

40 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

230 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

205 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

890 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Серия:

IXTN40P50

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

23 S

Күз уақыты:

34 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

59 ns

Зауыттық буманың саны:

10

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

90 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

37 ns

Бірлік салмағы:

1.058219 oz

Tags

IXTN4, IXTN, IXT