RDN100N20

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

200 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

10 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

360 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

35 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Жаппай

Биіктігі:

8 mm

Ұзындығы:

10 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.5 mm

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Күз уақыты:

26 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

29 ns

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

38 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

13 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

RDN100N20FU6

Бірлік салмағы:

0.211644 oz

Tags

RDN100N, RDN10, RDN1, RDN