IPD042P03L3GBTMA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

70 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

3.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

175 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

150 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

2.3 mm

Ұзындығы:

6.5 mm

Серия:

XPD042P03

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

6.22 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

65 S

Күз уақыты:

22 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

167 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

89 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

21 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

G IPD042P03L3 IPD42P3L3GXT SP000473922

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IPD042, IPD04, IPD0, IPD