STW45N60DM2AG

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-247-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

650 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

34 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

93 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

25 V

Qg - қақпа заряды:

56 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

250 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

MDmesh

Биіктігі:

5.15 mm

Ұзындығы:

20.15 mm

Өнім:

MOSFET қуаты

Серия:

STW45N60DM2AG

Түрі:

Жоғары кернеу

Ені:

15.75 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

27 ns

Зауыттық буманың саны:

600

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

85 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

29 ns

Бірлік салмағы:

1.340411 oz

Tags

STW45N6, STW45N, STW45, STW4, STW