OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Сәлем, жүйеге кіріңізМенің аккаунтым
0 Арба

SIDR668DP-T1-GE3

SIDR668DP-T1-GE3
Mfr. #:
SIDR668DP-T1-GE3
Өндіруші:
Vishay / Siliconix
Сипаттама:
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SIDR668DP-T1-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIDR668DP-T1-GE3 DatasheetSIDR668DP-T1-GE3 Datasheet (P4-P6)SIDR668DP-T1-GE3 Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SIDR668DP-T1-GE3 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Вишай
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
Си
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
PowerPAK-SO-8DC-8
Арналар саны:
1 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
100 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
95 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
5.05 mOhms
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
2 V
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
7.5 V
Qg - қақпа заряды:
72 nC
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Pd - қуаттың шығыны:
125 W
Конфигурация:
Бойдақ
Арна режимі:
Жақсарту
Сауда атауы:
TrenchFET
Қаптама:
Ролик
Серия:
SID
Транзистор түрі:
1 N-Channel
Бренд:
Вишай / Силиконикс
Күз уақыты:
28 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
25 ns
Зауыттық буманың саны:
3000
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
38 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
22 ns
Tags
SIDR6, SIDR, SID
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
TrenchFET® Gen IV Top-Side Double Cooling MOSFETs
Vishay TrenchFET® Gen IV Top-Side Double Cooling MOSFETs feature top-side cooling and offer an additional venue for thermal transfer. These MOSFETs come in the PowerPAK® SO-8DC package. The TrenchFET double cooling MOSFETs offer variants with different drain-source breakdown voltages of 25V, 30V, 40V, 60V, 80V, 100V, 150V, and 200V. These N-channel MOSFETs operate at a temperature range from -55°C to 150°C. The TrenchFET MOSFETs can be utilized for product-specific applications including synchronous rectification, DC/DC conversion, power supplies, battery management, and others.
Industrial Power Solution
Vishay offers one of the industry’s broadest selections of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors. 
TrenchFET Gen IV MOSFETs
Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETs are next-generation TrenchFET® family of power MOSFETs. These new devices utilize a new high-density design and the SiR182DP, SiR186DP, and SiSS26DN. The TrenchFET Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low RDS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switch.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SIDR668DP-T1-GE3
DISTI # 29499188		Vishay IntertechnologiesN-Channel 100 V (D-S) MOSFET3000
  • 3000:$1.4091
SIDR668DP-T1-GE3
DISTI # SIDR668DP-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		5839In Stock
  • 1000:$1.4819
  • 500:$1.7885
  • 100:$2.1769
  • 10:$2.7080
  • 1:$3.0100
SIDR668DP-T1-GE3
DISTI # SIDR668DP-T1-GE3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		5839In Stock
  • 1000:$1.4819
  • 500:$1.7885
  • 100:$2.1769
  • 10:$2.7080
  • 1:$3.0100
SIDR668DP-T1-GE3
DISTI # SIDR668DP-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		3000In Stock
  • 6000:$1.3230
  • 3000:$1.3395
SIDR668DP-T1-GE3
DISTI # 59AC7340		Vishay IntertechnologiesN-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET0
  • 10000:$1.1900
  • 6000:$1.2300
  • 4000:$1.2800
  • 2000:$1.4200
  • 1000:$1.5000
  • 1:$1.5900
SIDR668DP-T1-GE3
DISTI # 78AC6505		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, 100V, 95A, 150DEG C, 125W,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:95A,Drain Source Voltage Vds:100V,On Resistance Rds(on):0.004ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:3.4V,Power RoHS Compliant: Yes0
  • 500:$1.6700
  • 250:$1.7900
  • 100:$1.9100
  • 50:$2.0900
  • 25:$2.2700
  • 10:$2.4500
  • 1:$2.9600
SIDR668DP-T1-GE3
DISTI # 78-SIDR668DP-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
RoHS: Compliant		9739
  • 1:$2.9300
  • 10:$2.4300
  • 100:$1.8900
  • 500:$1.6500
  • 1000:$1.3700
  • 3000:$1.2700
  • 6000:$1.2200
SIDR668DP-T1-GE3
DISTI # 2932900		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, 100V, 95A, 150DEG C, 125W6000
  • 500:£1.2100
  • 250:£1.3000
  • 100:£1.3800
  • 10:£1.7800
  • 1:£2.4200
SIDR668DP-T1-GE3
DISTI # 2932900		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, 100V, 95A, 150DEG C, 125W
RoHS: Compliant		6000
  • 1000:$2.5300
  • 500:$2.6800
  • 250:$2.8400
  • 100:$3.1000
  • 10:$3.5700
  • 1:$4.1000
Сурет Бөлім № Сипаттама
ATECC608A-SSHDA-B

Mfr.#: ATECC608A-SSHDA-B

OMO.#: OMO-ATECC608A-SSHDA-B

 Security ICs / Authentication ICs ECC/ECDSA/ECDHE I2C SOIC Bulk
SKY65806-636LF

Mfr.#: SKY65806-636LF

OMO.#: OMO-SKY65806-636LF

 RF Amplifier 3.4-3.8GHz NF 1.2dB SSG 13.5dB 1.6-3.3V
SKY65805-696LF

Mfr.#: SKY65805-696LF

OMO.#: OMO-SKY65805-696LF

 RF Amplifier 2.3-2.69GHz NF 1.1dB SSG 13dB 1.5-3.3V
SKY65804-696LF

Mfr.#: SKY65804-696LF

OMO.#: OMO-SKY65804-696LF

 RF Amplifier 1805-2170MHz SSG 14.5dB NF 1.1dB
LTC7000MPMSE#TRPBF

Mfr.#: LTC7000MPMSE#TRPBF

OMO.#: OMO-LTC7000MPMSE-TRPBF

 Gate Drivers Fast 150V Protected High Side NMOS Static Switch Driver
AQHV15-01ETG-C

Mfr.#: AQHV15-01ETG-C

OMO.#: OMO-AQHV15-01ETG-C

 TVS Diodes / ESD Suppressors 1CH 15V 200W SOD882
CSD19532Q5B

Mfr.#: CSD19532Q5B

OMO.#: OMO-CSD19532Q5B

 MOSFET 100V 4.0 mOhm N-Ch NexFET Power MOSFET
TPS560430X3FDBVT

Mfr.#: TPS560430X3FDBVT

OMO.#: OMO-TPS560430X3FDBVT

 Switching Voltage Regulators NIXON TPS560430X3FDBVT DC-DC CONVERTER
TLV76012DBZR

Mfr.#: TLV76012DBZR

OMO.#: OMO-TLV76012DBZR

 LDO Voltage Regulators LOW-DROPOUT LINEAR VOLTAGE REGULATOR
TPS560430X3FDBVT

Mfr.#: TPS560430X3FDBVT

OMO.#: OMO-TPS560430X3FDBVT-TEXAS-INSTRUMENTS

 IC REG BUCK 3.3V 600MA SOT23-6
Қол жетімділік
Қор:
Available
Тапсырыс бойынша:
1992
Саны енгізіңіз:
SIDR668DP-T1-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
2,93 $
2,93 $
10
2,43 $
24,30 $
100
1,89 $
189,00 $
500
1,65 $
825,00 $
1000
1,37 $
1 370,00 $
2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
-ден бастаңыз
Ең жаңа өнімдер
  • SUM70101EL 100 V P-Channel MOSFET
    SUM70101EL 100 V P-Channel MOSFET
    Vishay Siliconix's SUM70101EL MOSFET has industry leading RDS(ON) (0.0101 Ω at -10 V and 0.015 Ω at -4.5 V) minimizes conduction loss and increases efficiency.
  • SIRA20DP TrenchFET® Gen IV MOSFET
    SIRA20DP TrenchFET® Gen IV MOSFET
    Vishay Siliconix's SIRA20DP TrenchFET® Gen IV MOSFET provides the lowest maximum RDS(on) rating at VGS = 10 V.
  • P-Channel MOSFETs
    P-Channel MOSFETs
    Vishay Siliconix's p-channel TrenchFET® GEN III and IV MOSFETs have the lowest on-resistance per area for p-channel MOSFETs.
  • SiP32452, SiP32453 Load Switch
    SiP32452, SiP32453 Load Switch
    Vishay's load switches have a low input logic control threshold and a fast turn on time.
  • Compare SIDR668DP-T1-GE3
    Compare SIDR668DP-T1-GE3
    SIDR608DPT1RE3 vs SIDR610DPT1GE3 vs SIDR622DPT1GE3
  • PowerPAIR®
    PowerPAIR®
    Vishay's PowerPAIR series are dual asymmetric MOSFETs that help to simplify design and decrease conduction losses.
More Newest Products
Top