APT75GN60LDQ3G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

IGBT транзисторлары

RoHS:

Y

Технология:

Си

Пакет/қорап:

TO-264-3

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

600 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

1.45 V

Шықпа эмитентінің максималды кернеуі:

30 V

Үздіксіз коллектор тогы 25 С:

155 A

Pd - қуаттың шығыны:

536 W

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Қаптама:

Түтік

Үздіксіз коллектор ток Ic макс:

155 A

Биіктігі:

5.21 mm

Ұзындығы:

26.49 mm

Жұмыс температурасының диапазоны:

- 55 C to + 175 C

Ені:

20.5 mm

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Үздіксіз коллекторлық ток:

155 A

Шлюз-эмиттер ағып кету тогы:

600 nA

Өнім түрі:

IGBT транзисторлары

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

IGBT

Бірлік салмағы:

0.373904 oz

Tags

APT75GN6, APT75GN, APT75G, APT75, APT7, APT