SQ3427EV-T1_GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSOP-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

5.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

95 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

15.3 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

5 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

3.05 mm

Серия:

SQ

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

1.65 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

9 S

Күз уақыты:

33 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

24 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

8 ns

Tags

SQ3427EV-T, SQ3427EV, SQ3427E, SQ3427, SQ342, SQ34, SQ3